芯片巨头“瓜分”美国2800亿

文章来源：腾讯科技

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台积电也等到了美国《芯片法案》补贴礼包，包括66亿美元的直接赠款和50亿美元的贷款及担保，总计116亿美元，距离其官宣建厂过去近4年。

2020年5月15日，台积电官宣赴美建厂，首座晶圆代工厂落户亚利桑那州，原计划2021年动工并于2024年量产，采用当时最先进的5nm工艺，规划月产能20000片晶圆，预计总投资120亿美元。

受制于当地人才、配套资源等诸多因素，台积电在美国的量产计划一再推延，目前预期的时间是2025年上半年，延期接近一年半。

虽然量产延期，但投资总额和建厂规模却在不断加码——从最开始的120亿美元，提升至二期的400亿美元，到现在第三期扩大到650亿美元，工厂则从1座增加至3座，对应的量产时间分别为2025年、2028年和2030年，而量产的工艺，则从最开始的5nm，增加到3nm、2nm。

这种规模量级的投入，与现任总裁魏哲家高喊的“（美国）掏空台积电，门都没有”略有偏差，但他也表态过“把根留在中国台湾”的决心，合理的解释是——到2030年，台积电1nm、1.4nm开始在中国台湾量产，也就是魏哲家口中的根。

* 台积电制程工艺路线图，2025、2027和2030年，分别量产2nm、1.4nm和1nm工艺

“加钱”、“加码”的可能不止台积电，也包括三星和英特尔。

2021年，三星宣布计划在德克萨斯州泰勒市建立10座半导体工厂，预计在2042年之前完工，总投资超过2000亿美元，覆盖10000个新增就业机会。作为2000亿美元总投资的一部分，现在三星又计划在当地再新建第二座晶圆厂以及一座封装厂，累计投资将达到440亿美元。

同样也是2021年，英特尔官宣在亚利桑那钱德勒市建立Fab 52和Fab 62两座工厂，计划量产20A（等效2nm）工艺，总投资200亿美元，2024年完工。2022年，英特尔再度宣布新增投资200亿美元，在俄亥俄州哥伦布市新建两座工厂，2025年开始量产Intel 10工艺。

巨头们分走大半个蛋糕

2022年，美国政府颁布《芯片法案》法案，提出了527亿美元的补贴计划，其中390亿美元（约合人民币2821亿元）作为直接赠款，补贴给参与先进制造回流的企业。

补贴规模相当丰厚，但下发却一再推迟，主要玩家的建厂计划也相应有所延迟。

按原计划，法案实施的2022年即发放190亿美元，2023-2026年每年发放50亿美元，但实施进度远落后于计划，到2023年下半年才向国防承包商BAE Systems发放第一笔3500万美元的补贴。

现在回过头来看，如果把补贴下发进度缓慢，建厂落地节奏不顺，以及头部晶圆厂都先后加码投资结合起来看，合理的解释只有一个——美国商务部和英特尔、台积电们在相互博弈，以争取到自己的利益最大化。

站在美国政府的角度，建厂资金投入规模足够大，工艺要足够先进，能够兼顾到当地就业政策甚至是对少数群体的支持；站在晶圆厂的角度来说，补贴应足够的丰厚，也要综合考虑市场环境，客户需求。

*芯片法案直接赠款部分总计390亿美元，三星的补贴暂未公布，外界预计其最少可拿到60亿美元赠款额度

到目前为止，台积电、英特尔等头部企业基本都拿到了相应的补贴礼包，三星也应该会很快领取到相应额度，外界预期其直接赠款部分最低将达到60亿美元。

以此计算，总计390亿美元的直接赠款，已发放完220亿美元额度，仅台积电、英特尔和三星三家，就占据了390亿美元直接赠款的50%以上。

如果没有所谓的《芯片法案》2.0版本进行资金补充，那么接下来每年都将会从剩余的资金池中下发一部分。

这里也要注意一个概念，现阶段下发的全部都是额度，不代表最终企业的入账。具体的下发规则，要根据企业与美国商务部签署的协议来执行，而这份协议则是未公开部分。不过，《芯片法案》原文明确提及了赠款的一些禁用场景，例如股票回购，也要求获得赠款额度的企业提供资金使用情况报告。